Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Mulenko S$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
1. |
Mulenko S. A. Pulsed laser deposition of thin iron and chromium silicide films with large thermoelectromotive force coefficient [Електронний ресурс] / S. A. Mulenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2014. - Т. 12, Вип. 3. - С. 623-632. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2014_12_3_17 Наноструктуры в форме тонких пленок, которые проявили полупроводниковые свойства, с узкой энергетической запрещенной зоной были осаждены методом импульсного лазерного осаждения (PLD) из мишеней CrSi2 и <$E beta>-FeSi2 с применением эксимерного KrF-лазера. Пленки, осажденные из мишени CrSi2 на подложку << 100 >> Si при температурах 293 К и 740 К, имели ширину запрещенной зоны <$E E sub g~symbol @~0,09> эВ и 0,18 эВ соответственно. Пленки, осажденные из мишени <$E beta>-FeSi2 на подложку << 100 >> Si при тех же условиях, имели ширину запрещенной зоны <$E E sub g~symbol @~0,16> эВ и 0,31 эВ соответственно. Наибольшее значение коэффициента термоэдс (коэффициента Зеебека) S для пленок на основе CrSi2 при осаждении на нагретую подложку при 740 К составляет около 1,4 мВ/К при <$E 300~symbol Г~T~symbol Г~340> К. Наибольшее значение коэффициента S для пленок на основе <$E beta>-FeSi2 при осаждении на нагретую так же подложку составляет около 1,5 мВ/К в том же интервале температур. Чем больше Eg, тем большее значение было установлено для коэффициента S. Рентгенодифракционный анализ показал, что пленки, осажденные на Si-подложки, имели поликристаллическую структуру, а пленки, осажденные на SiO2-подложки, были аморфными. Что касается коэффициента S для пленок, осажденных на подложки Si и SiO2, то он для поликристаллических пленок оказался больше, чем для аморфных. Чем больше концентрация полупроводниковой фазы в осажденных пленках, тем больше коэффициент S. Таким образом, PLD-метод с применением эксимерного KrF-лазера является эффективным методом осаждения наноструктур в форме тонких пленок, которые весьма удобны для термосенсоров, работающих при умеренных температурах.
| 2. |
Brodyn M. S. Cubic optical nonlinearity of thin Fe2O3 and Cr2O3 films synthesized by pulsed laser deposition [Електронний ресурс] / M. S. Brodyn, S. A. Mulenko, V. I. Rudenko, V. R. Liakhovetskyi, M. V. Volovyk, N. Stefan // Ukrainian journal of physics. - 2016. - Vol. 61, № 6. - С. 495-501. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2016_61_6_7
| 3. |
Shlianina A. The role of educational work in educational institutions in order to prevent the influence of harmful factors on the human body [Електронний ресурс] / A. Shlianina, I. Shelуuk, S. Mulenko, E. Shemet // ScienceRise. Pedagogical Education. - 2021. - № 6. - С. 35-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/texcped_2021_6_9
|
|
|